當(dāng)前位置：首頁(yè) >
產(chǎn)品中心 >
介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀 >
介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀 > GDAT-AGDAT介質(zhì)損耗測(cè)試儀，介電常數(shù)測(cè)試儀
產(chǎn)品展示
GDAT介質(zhì)損耗測(cè)試儀，介電常數(shù)測(cè)試儀
型 號(hào)GDAT-A
更新時(shí)間2024-11-19
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
報(bào)價(jià)
產(chǎn)品描述：介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
產(chǎn)品概述
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀：GDAT-A
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
GDAT-A
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀的詳細(xì)資料：
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無(wú)機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。
二、介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀的技術(shù)指標(biāo)
1．Q值測(cè)量 a． Q值測(cè)量范圍：2～1023。 b． Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。 c． 標(biāo)稱誤差
項(xiàng) 目
GDAT-A
頻率范圍20kHz～10MHz；
固有誤差≤5％±滿度值的2％；
工作誤差≤7％±滿度值的2％；
頻率范圍10MHz～60MHz；
固有誤差≤6％±滿度值的2％；
工作誤差≤8％±滿度值的2％。
2．電感測(cè)量范圍：14.5nH~8.14H
3．介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀電容測(cè)量：1~ 460
項(xiàng) 目
GDAT-A
直接測(cè)量范圍1～460pF
主電容調(diào)節(jié)范圍準(zhǔn)確度30～500pF 150pF以下±1.5pF； 150pF以上±1％
注：大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見(jiàn)使用規(guī)則
4．介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀信號(hào)源頻率覆蓋范圍
項(xiàng) 目GDAT-A
頻率范圍10kHz～50MHz
頻率分段（虛擬）10～99.9999kHz 100～999.999kHz 1～9.99999MHz 10～60MHz
頻率指示誤差3×10-5±1個(gè)字
5．Q合格指示預(yù)置功能 預(yù)置范圍：5～1000。
6．Q表正常工作條件 a. 環(huán)境溫度：0℃～+40℃； b．相對(duì)濕度：<80％； c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。
7．其他 a．消耗功率：約25W； b．凈重：約7kg； c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。
8．產(chǎn)品配置： a.測(cè)試主機(jī)一臺(tái)； b.電感9只； c.夾具一套
電感：
線圈號(hào) 測(cè)試頻率 Q值 分布電容p 電感值
9 100KHz 98 9.4 25mH
8 400KHz 138 11.4 4.87mH
7 400KHz 202 16 0.99mH
6 1MHz 196 13 252μH
5 2MHz 198 8.7 49.8μH
4 4.5MHz 231 7 10μH
3 12MHz 193 6.9 2.49μH
2 12MHz 229 6.4 0.508μH
1 25MHz，50MHz 233，211 0.9 0.125μH
- 上一個(gè)： BLD耐電痕化指數(shù)試驗(yàn)儀，漏電起痕試驗(yàn)儀
- 下一個(gè)： HMLQ-500專業(yè)生產(chǎn)【落球回彈試驗(yàn)儀】廠商
